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随着微电子技术的发展，对半导体器件的要求也越来越高，不仅体积缩小，准确度也要不断提高。 目的是提供一种优化的晶圆切割方法，以减少切割时晶片的变形，提高半导体收率，提高切割叶片的寿命
晶圆是生产IC的基本原料。晶圆切割的生产过程一般基于纯光伏材料，这种纯硅用硅胶棒制成，经过照相板、抛光、切片等程序过程，将多晶硅从单晶的硅胶棒上熔化，切成一片。
QFN器件切割是近年来发展起来的一种切割技术。采用高压水柱切割钢板。技术先进，切割精度高。适用于中、高精度钢板的切割，一般的工业切割对切割精度要求不高，不适合普通工业切割。等离子弧切割：利用高温等离子弧的热量，在工件切口处熔化（产生）金属零件，利用高速等离子体的动量消除熔融金属，形成一种切割方法。
硅片的刃口材料是指切割机的刃口材料是硅片，主要用于切割太阳能硅片和半导体晶片，是目前硅片线切割的三大耗材之一。在线切割过程中，将混有切削液(通常为聚乙二醇)和刃口材料的砂子喷在由细钢丝组成的钢丝网上，通过细钢丝的高速运动，将砂浆中的刃口材料与紧紧压在钢丝网上的硅棒或硅锭表面高速研磨。由于刃口材料颗粒具有非常尖锐的棱角，且硬度远高于硅棒或硅锭，硅棒或硅锭与钢丝的接触面积逐渐被刃口材料颗粒磨掉。
随着半导体封装元件小型化/多样化进程的加快，QFN器件切割方式也发生了变化，从使用剪切机和铣床到切割机。有效控制铜材特殊毛刺的产生，提高生产率，已成为加工QFN的关键因素。在这里，我们将介绍一种能够高质量加工QFN(减少毛刺，提高生产率)的新型树脂结合剂砂轮刀片和一种适合加工QFN的切割机。
硅片切割目前基本都是采用线切割的方法，加入SiC切割液，Si和SiC都是无毒的，但是一般硅锭会掺杂P、B、As等元素得到需要的硅片，所以切割废液和废芯片都有一定的毒性，但是毒性很低，因为杂质含量是切割iC硅片(晶圆)所用的非常非常低的工艺制成的。或者太阳能晶片切割，因为有一些图形是由铜、钛、镍、钴等制成的。在硅片切割通道中，而硅片本身也掺杂有P、B、As等。所以晶圆切割时，有可能会加入切削液。
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