晶圆切割的方法与作用介绍
发布时间：
2021-11-15 16:44
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随着微电子技术的发展，对半导体器件的要求也越来越高，不仅体积缩小，准确度也要不断提高。
因此，半导体整理工程也需要不断完善。特别是在晶圆切割过程中，例如切割时，要减少半导体边缘破裂的危险，减少废物。为此，切削叶片须越来越薄，对叶片的刚度和硬度要求越来越高。目前正在不断开发高密度晶片，以便为单位晶片获得更多半导体元件。因此，工作条件越来越严格。晶圆地板的材料硬度高，一般刀片难以切割，因此应考虑金刚石刀片。使用钻石刀片时，刀刃会晃动和振动，内部应力大，会发生变形，刀刃的寿命不高。另外，在现有切割过程中，使用一次性穿透切割，半导体晶片的边缘破裂，产品的良品率下降。
因此，为了克服上述缺陷，须提供优化的晶圆切割方法。
技术实施要素：
目的是提供一种优化的晶圆切割方法，以减少切割时晶片的变形，提高半导体收率，提高切割叶片的寿命。
为了达到这一目的，本发明的晶圆切割方法如下。
提供具有相对一、二表面的晶片。
晶片上所述第二表面附着有保护胶。
切割从所述一表面的预定位置向所述二表面的方向形成第一凹槽，切割深度小于所述晶片的总深度。而且在所述一表面的预定位置，在所述二表面的方向上，一切削形成第一凹槽，切削深度小于所述晶片的总深度。
与传统的首次穿透性切割相比，通过在晶圆的不同表面进行第二次切割，可以防止半导体晶圆的切割边缘破裂，提高收率，从而防止刀片变形，提高刀片寿命。
作为一种更好的方法，所述晶体的第一表面附着有相应的保护胶。
更好，保护胶是UVB胶。
在更好的情况下，所述首要切割的切割深度是所述晶片整体深度的一半。
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